Micron начинает выпускать высокоскоростную память DDR5 7200 МТ/с с использованием технологии 1B
Память DDR5 Micron на базе технологии 1β с использованием передовых КМОП-устройств высокого разрешения, 4-фазной синхронизации обеспечивает повышение производительности на 50% и 33%-ное улучшение производительности на ватт по сравнению с предыдущим поколением. По мере увеличения количества ядер ЦП в соответствии с требованиями рабочих нагрузок центров обработки данных значительно возрастает потребность в более высокой пропускной способности и емкости памяти для решения проблемы «нехватки памяти» при одновременной оптимизации общей стоимости владения для клиентов.
DRAM DDR5 DRAM от Micron 1β обеспечивает масштабирование вычислительных возможностей с более высокой производительностью, позволяя использовать такие приложения, как обучение и вывод данных с помощью искусственного интеллекта (ИИ), генеративный ИИ, анализ данных и базы данных в памяти (IMDB) на платформах центров обработки данных и клиентов. Новая линейка продуктов 1β DDR5 DRAM обеспечивает текущую плотность модулей со скоростью от 4800 МТ / с до 7200 МТ / с для использования в центрах обработки данных и клиентских приложениях.
